设备采用PLC+触摸屏控制,操作简单易维护,产品主要适用于小规模生产、科学实验;腔体材质采用316不锈钢、进口铝合金材质,耐腐蚀,腔体可以根据客户产品需求定制;进口针阀精密流量控制计,两路工艺反应气体通道;独特的电极结构,确保等离子体的均匀性; GD-5 40KHz/13.56MHz AC220V(±10V)查看所有产品
FR-G800(ICP CVD) 电感耦合等离子化学气相沉积设备在半导体行业中有着广泛的应用,如制备氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)等介质薄膜,这些薄膜在半导体器件中起着重要的作用,作为绝缘层、钝化层或保护层等。还可以用于制备非晶硅(a-Si)等半导体材料,用于太阳能电池、薄膜晶体管等领域。利用ICP CVD技术可以制备具有优异性能的复合材料,如...查看所有产品
SD-300 ICP等离子体去胶机是一种基于电感耦合等离子体技术的高端半导体制造设备,主要用于高效去除光刻胶、有机残留物及微纳米级污染物。在应用领域上,该设备广泛服务于半导体先进制程、先进封装、显示面板制造以及科研领域的微纳器件加工。凭借高效清洁能力、环保性和工艺灵活性,ICP等离子体去胶机已成为现代集成电路和微电子制造...查看所有产品
1、非接触式结构避免材料损伤。超声波可打破空气粘滞层,彻底清除极小颗粒(1.6um以上)的灰尘。2、从除尘单元吹出的气流得到充分的应用,控制了整个气流和真空,从而保证了持续的清除性能不受材料厚度的影响。3、高效的气流控制,一些低压气流也能得到应用,减小了损耗。4、闭环系统不会破坏生产车间(洁净室)的气流平衡。5、不需要高额的消...查看所有产品
可与客户生产线联机实现自动化生产;可选配多重类型喷嘴,使用范围广泛;使用压缩空气或氮气;喷嘴采用无皮带式静音结构;采用低温等离子冷弧放电技术;安全环保不产生任何污染物; PM-V84 18-25KHz AC220V(±10V)查看所有产品
小型等离子模组,可根据产品的规格定做,应用于各种材料表面清洁、活化等;不分处理对象的基材类型,如金属、塑料、玻璃、高分子材料等均可进行处理;可与生产线结合连续操作;成本低效率高,全程干燥处理不产生任何污染物; FR-L235 13.56MHz AC220V(±10V)查看所有产品
可应用于液晶面板行业 STN/TFT/OLED/LTPS、触控面板、光电元件、PCB/FPC行业、太阳能行业、触控面板行业,以及电子元件封装贴合前清洁、 LED封装等等 DL-600 最大宽度560mm 氮化硅刻蚀AC220V(±10V)查看所有产品
FR-G800(ICP CVD) 电感耦合等离子化学气相沉积设备在半导体行业中有着广泛的应用,如制备氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)等介质薄膜,这些薄膜在半导体器件中起着重要的作用,作为绝缘层、钝化层或保护层等。还可以用于制备非晶硅(a-Si)等半导体材料,用于太阳能电池、薄膜晶体管等领域。利用ICP CVD技术可以制备具有优异性能的复合材料,如纤维状或晶须状的沉积物,这些沉积物可以作为复合材料的增强相,提高复合材料的力学性能和热稳定性。
ICP CVD电感耦合等离子化学气相沉积设备是一种先进的材料制备技术,它结合了电感耦合等离子体和化学气相沉积的优点。该设备通过电感耦合方式激发等离子体,产生大量的活性离子和自由基,这些活性粒子在基体表面发生化学反应,从而生成所需的薄膜或涂层。
ICP CVD设备的主要组成部分包括反应腔、真空系统、气路系统、射频电源和控制系统等。其中,反应腔是发生化学反应的场所,真空系统用于控制反应腔内的气体压力和成分,气路系统负责向反应腔内输送反应气体,射频电源则提供激发等离子体的能量,控制系统则负责整个设备的运行和监控。